На сегодняшний день производитель показал публике образцы SSD-накопителей, которые должны попасть в серийное изготовление – серьезных изменений в конструкции уже не ожидается, но некоторые модификации вполне могут иметь место. Конструкция устройств подразумевает использование десяти интегральных микросхем NAND-памяти объемом по 8 Гб каждая, чем и достигается объем в 80 Гб. Размещаются устройства на пятислойной печатной плате – по пять микросхем с каждой стороны PCB. В дополнение к этому, разработчики разместили на печатной плате единственную DRAM-микросхему производства компании Samsung, которая будет использоваться в качестве буфера для повышения производительности накопителей. Согласно имеющимся сведениям, емкость микросхемы составляет 16 Мб, а рабочая частота – 166 МГц.

Показанные публике устройства были лишены управляющего контроллера, что не позволяет протестировать накопители для получения информации об их производительности. Согласно заявлению представителей Intel такое решение должно предотвратить утечку информации относительно характеристик SSD-накопителей до их появления в продаже.